Надо Знать

добавить знаний



Герберт Кремер


Replace this image male.svg

План:


Введение

Герберт Кремер
нем. Herbert Kr?mer
Replace this image male.svg
Родился 25 августа 1928 ( 1928-08-25 ) (84 года)
Веймар, Германия
Гражданство Германия, США
Награды Nobel prize medal.svg Нобелевская премия по физике ( 2000)

Герберт Кремер ( нем. Herbert Kr?mer ; Нар. 25 августа 1928, Веймар, Германия) - немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000. , Совместно с Жоресом Алферовым, "за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике ". Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби "за вклад в изобретение интегральных схем" .


1. Биография

По окончании курсов подготовки к университету (Abitur), Герберт Кремер приступает к изучению физики в Йенском университете, где помимо прочего посещал лекции Фридриха Гунда. Во время блокады Берлина Кремер находился на практике в Берлине и воспользовался возможностью для бегства на Запад. После этого он продолжил обучение в Геттингенском университете. В 1952. он защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электрон ей в транзистор ах. После этого Кремер работал в качестве "прикладного теоретика", как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты. В 1954. он переехал в США и работал там в различных исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1968 по 1976 Кремер преподает в университете Колорадо как профессор, а затем перешел в Калифорнийский университет в Санта-Барбаре.


2. Достижения

Герберт Кремер никогда не работал в "модных" областях физики. Он предпочел области, значение которых становилось ясно только через много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерц овом диапазоне частот. В 1963. он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах - полупроводниковых лазеров. Обе эти работы на много лет опередили свое время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.

Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Кремер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причем он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 г. интересы Кремера сместились в комбинаций InAs, GaSb и AlSb.

В 2000 году ему была присуждена Нобелевская премия по физике, совместно с Жоресом Алферовым и Джеком Килби.


3. Награды

  • Награда имени Дж.Дж. Эберс, от IEEE, 1973
  • Медаль имени Генриха Уэлкер от международного симпозиума по GaAs и похожих соединений, 1982
  • Заслуженный лектор от общества электронных устройств IEEE, 1983
  • Награда Джека Мортона от IEEE, 1986
  • Исследовательская премия имени Александра фон Гумбольдта, 1994
  • Нобелевская премия по физике, 2000

См.. также


код для вставки
Данный текст может содержать ошибки.

скачать

© Надо Знать
написать нам