Надо Знать

добавить знаний



Институт физики полупроводников имени В. Е. Лашкарева НАН Украины



Институт физики полупроводников имени В. Е. Лашкарева НАН Украины
Основные данные
Основано 1960 год
Принадлежность Национальная академия наук Украины
Контакт
Ключевые лица директор Мачулин Владимир Федорович
Адрес 03028, Киев-28, пр. Науки 41
Веб-страница http://web.isp.kiev.ua
E-mail info@isp.kiev.ua

Институт физики полупроводников имени В. Е. Лашкарева НАН Украины создан в 1960 году на базе отделов и лабораторий Института физики АН УССР во исполнение постановления Совета Министров СССР от 3 ​​сентября 1960 г. № 1449 "Об организации в составе Академии наук УССР Института полупроводников" и соответствующего постановления Президиума АН СССР от 7.10.1960 г. Решающее значение при этом имел тот факт, что в Институте физики в то время сложились научные школы по физике неравновесных процессов в полупроводниках и теории полупроводников, возглавляемые академиком АН УССР, проф. В. Е. Лашкаревым и д.ф.-м.н., проф. С. И. Пекар. Согласно постановлению Президиума АН Украины от 30.12.1992 г. № 353 Институт полупроводников переименован в "Институт физики полупроводников". Распоряжением Кабинета Министров Украины от 25.12.2002 г. № 714-р "О присвоении Института физики полупроводников Национальной академии наук Украины имени В. Е. Лашкарева" и соответствующим постановлением Президиума НАН Украины от 04.02.2003 г. № 6 Института присвоено имя В. Е. Лашкарева.

Большой вклад в создание и организацию дальнейшей деятельности Института сделали также первые руководители научно-исследовательских отделов и лабораторий, созданных в 1960-1961-х годах: д.ф.-м.н. М. Ф. Дейген, к.ф.-м.н. М. П. Лисица, д.ф.-м.н., проф. В. И. Ляшенко, к.х.н. И. Б. Мизецька, к.ф.-м.н. О. Г. Миселюк, к.ф.-м.н. Е. И. Рашба, к.т. н. С. В. Свечников, к.ф.-м.н. В. Снитко, к.ф.-м.н. Г. А. Федорус.

С 1960 г. по 1970 г. первым директором института был академик АН УССР Вадим Евгеньевич Лашкарев (1903-1974 гг.) С 1970 г. по 1990 г. Институт возглавлял академик АН УССР Олег Вячеславович Снитко (1928-1990 гг.) С 1991 г. по 2003 г. директором Института был академик НАН Украины Сергей Васильевич Свечников. С 2003 г. Институт возглавляет академик НАН Украины Владимир Федорович Мачулин.

В Институте работали и работают известные украинские ученые, среди них 6 академиков НАН Украины: В. Е. Лашкарев (1903-1974 гг), М. П. Лисица, С. И. Пекар (1917-1985 гг), С. В. Свечников, В. Снитко (1928-1990 гг), В. Ф. Мачулин, 11 членов-корреспондентов НАН Украины: А. Е. Беляев, М. Я. Валах, Е. Ф. Венгер, М. Ф. Дейген (1918-1977 гг), В. С. Лысенко, В. Г. Литовченко, Б. А. Нестеренко (1938-2003 гг), П. Ф. Олексенко, Ф. Ф. Сизов, К. Б. Толпыго (1916-1998 гг), М. К. Шейнкман. В начале 2007 г. в Институте работало 86 докторов наук (среди них 47 профессоров), 203 кандидата наук.

Исследования и разработки проводятся 8 научными отделениями:

  • теоретических проблем,
  • фотоэлектроники,
  • оптоэлектроники,
  • оптики полупроводников,
  • физики поверхности и микроэлектроники,
  • физико-технологических проблем полупроводниковой инфракрасной техники,
  • технологии и материалов сенсорной техники,
  • структурного и элементного анализа полупроводниковых материалов и систем.

В состав отделения входят научно-исследовательские подразделения: 30 отделов и 5 лабораторий, которые возглавляются преимущественно докторами наук. Институт осуществляет плодотворное научное и научно-техническое сотрудничество с рядом университетов и научных центров США, Великобритании, Франции, Италии, Испании, Израиля, Японии, Германии, Китая и др., а также поддерживает тесные научные контакты с ведущими научными учреждениями России и других стран -членов СНГ, Прибалтики.

Институт издает сборник "оптоэлектроники и полупроводниковая техника" и журнал "Semiconductor Physics. Quantum Electronics & Орtоеlеctronics" [1], который в полном объеме выдается и распространяется на английском языке.

Большое внимание уделяется воспитанию и подготовке научных кадров. В Институте действует аспирантура и докторантура, работают специализированные ученые советы по защите диссертаций на соискание ученой степени доктора наук (по специальностям: 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков; 01.04.18 - физика и химия поверхности; 05.12.20 оптоэлектронные системы) и кандидата наук (по специальностям: 01.04.01 - физика приборов, элементов и систем; 01.04.07 - физика твердого тела 05.27.01 - твердотельная электроника; 05.27.06 - технология, оборудование и производство электронной техники), осуществляется подготовка кадров через аспирантуру ( по специальностям: 01.04.07 - физика твердого тела 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков; 05.12.20 - оптоэлектронные системы; 05.27.01 - твердотельная электроника; 05.27.06 - технология, оборудование и производство электронной техники) и докторантуру (с специальности: 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков).

Периодически проводятся Лашкарьовськи чтения для молодых ученых. Привлечению талантливой молодежи как на работу в Институт, так и к обучению в аспирантуре способствует то, что: ведущие ученые Института читают курсы лекций в учебных заведениях Украины (Киевском национальном университете имени Тараса Шевченко, Киевском политехническом университете и других); группы студентов постоянно проходят бакалаврскую , магистерскую, производственную, преддипломную и дипломную практику, научными руководителями которых являются квалифицированные ученые и специалисты (кандидаты и доктора наук), часть выпускников остается в Институте; ученые Института активно участвуют в Днях открытых дверей, проводимых ВУЗами Украины.

При Институте физики полупроводников имени В. Е. Лашкарева НАН Украины действует хозрасчетное Специальное конструкторско-технологическое бюро с опытным производством (СКТБ с ОП). Институт активно использует новые формы организации научных исследований и внедрения их результатов. Так, в Институте действуют следующие организации и подразделения:

  • технологический парк "Полупроводниковые технологии и материалы, оптоэлектроника и сенсорная техника";
  • Центр коллективного пользования приборами НАН Украины "Диагностика полупроводниковых материалов, структур и приборных систем" [2];
  • испытательная лаборатория голографических защитных элементов (сертифицирована по международному стандарту ISO 9001);
  • центральная испытательная лаборатория полупроводникового материаловедения (аттестат аккредитации Укр. Государственного производственного центра стандартизации, метрологии и сертификации за № ПТ-0400/01 от 28.12.2001 г.);
  • центр испытаний фотопреобразователей и фотоэлектрических батарей (аттестат аккредитации Госпотребстандарта Украины № ПТ-0327/03 от 20.04.2003 г.).

код для вставки
Данный текст может содержать ошибки.

скачать

© Надо Знать
написать нам