Верхний затвор (графен)

Верхний затвор - затвор сверху над графеном и подложкой с противоположной стороны от подложки. Терминология сложилась в это время в технологии связанной с графеном для того, чтобы отличать от затвора, которым служит высоколегированная подложка из кремния. Ситуация с названиями противоположная в графене и МДП- транзисторах, поскольку в последних обратного затвора просто нет.

Графен находится на поверхности SiO 2 / Si, причем сверху ничем не ограничен. Поэтому для создания верхнего затвора сначала наносят диэлектрический слой, а затем напыляют металл. В первой статьи использовали в качестве диэлектрика SiO 2. [1] Выбор диэлектрика может влиять на подвижность носителей тока в графене благодаря зарядам или дефектов в его струкутури. Среди других материалов, использованных в качестве диэлектрика существуют: PMMA [2], Al 2 O 3 [3], HfO 2 [4].

В идеальном случае можно, конечно, обойтись вообще без диэлектрика и использовать подвешен верхний затвор, который не влияет на подвижность [5] [6].