Обратный затвор

В физике полупроводников срок обратный затвор обозначает сильно легированную подложку, которая является хорошим проводником. Используется как обычный затвор для регулирования концентрации носителей тока в гетероструктурах с двухмерной электронным газом (или двухмерной дырочным газом). Используется в тех случаях, когда трудно создать обычный затвор. Если подложка достаточно тонкая и поле не экранируется в непроводящей материале, то поле проникает в электронного газа. В этом случае можно обойтись без легирования и использовать металлическую пластину, которая также будет называться обратным затвором. Фактически, если поле не экранируется, то концентрация ДЭГ (который можно считать второй обкладкой конденсатора) зависит только от емкости системы.

В МДП-транзисторах четвёртая электрод называется "подложка". Однако следует различать дискретные МОП-транзисторы, в которых электрод подложки (bulk) работает наравне с другими электродами (то есть жестко индивидуализовангий) и интегральные схемы МДП-транзисторах в которых электрод подложки (substrate) является общий для всех МДП транзисторов одного типа. Правда в случае технологии кремний на сапфире, электроды подложки также индивидуализированы для каждого интегрального МДП-транзистора. Влияние электрода подложки на ВАХ МДП-транзисторов широко исследовалось в конце 70-х годов прошлого века.



Смотри также

Литература

  1. Якимаха А.Л. Микромощные Инверторы на МДП-транзисторах. Радиотехника, т.35, № 1, 1980, с.21-24.
  2. Якимаха А.Л., Берзина Л.Ф. Триодный режим МДП-транзисторов. Изв. вузов СССР. Приборостроение, т.21, № 11, 1978, с.101-103.
  3. Якимаха А.Л., Берзина Л.Ф. Эквивалентная схема pnpn-структуры на комплементарных МДП-транзисторах. Радиотехника и электроника, т.24, № 9, 1979, с.1941-1943.



Физика Это незавершенная статья по физики.
Вы можете помочь проекту, исправив и дополнив ее.