Пластины (2, 4, 6, 8 дюймов), готовы к нарезке

Подложка ( англ. wafer ) - Тонкая монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания пленок, гетероструктур, и выращивание монокристаллических слоев с помощью эпитаксии, кристаллизации и др.. Используется как основа для микроэлектронных устройств, интегральных микросхем. Подложка проходит многоэтапный процесс изготовления, включающий легирования, травления, осаждения различных материалов, и фотолитографию ^[1].

В процессе выращивания кристаллов важную роль играет соответствие кристаллической решетки подложки кристалла, что нарастает. Частности весомым структурно-геометрическое соответствие, а также отсутствие дефектов в подложке. В случае сильного несоответствия кристаллических решеток подложки и кристалла, используют буферный слой для предупреждения возникновения многочисленных дислокаций.

См.. также

• Эпитаксия

Источники

1. Бахрушин В.Е. Получение и физические свойства слаболегированных слоев многослойных композиций. - М.: КПУ, 2001. - 247 с.