Надо Знать

добавить знаний



Туннельный диод



Обозначения в схемах
Схематическое изображение вольтамперной характеристики туннельного диода

Туннельный диод - полупроводниковый элемент электрической цепи с нелинейной вольт-амперной характеристикой, на которой существует участок с отрицательной дифференциальной проводимостью.

В туннельном диоде используется сильно легированный pn переход, через который носители заряда могут туннелировать при условии совпадения энергий донорных уровней электронов в n-области и акцепторных уровней дырок в p-области. Ток через pn переход возрастает для значений напряжения, при которых такое совпадение создается, но уменьшается при большем напряжении, создавая участок с отрицательной дифференциальной проводимостью.

Изобрел туннельный диод в 1957 году Исаак Леона. В 1973 году он получил Нобелевскую премию по физике за открытие явления туннелирования электрона.

Туннельные диоды относительно устойчивы к ионизирующего излучения, по сравнению с другими диодами. Это делает их пригодными для применения в средах с высоким уровнем радиации, например, в космосе.



Физика Это незавершенная статья по физики.
Вы можете помочь проекту, исправив и дополнив ее.

Смотрите также


код для вставки
Данный текст может содержать ошибки.

скачать

© Надо Знать
написать нам