Фототранзистор

Фототранзистор - транзистор (обычно биполярный), в котором инжекция неравновесных носителей осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего; служит для преобразования световых сигналов в электрических с усилением последних. Ф. является монокристаллического полупроводниковую пластину с Ge или Si, в которой с помощью особых технологических приемов созданы 3 области, называемой, как и в обычном транзисторе, эмиттером, коллектором и базой, причем последняя, ​​в отличие от транзистора, как правило, вывода не имеет. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном. Включение Ф. во внешней электрическую цепь подобно включения биполярного транзистора, выполненного по схеме с общим эмиттером и нулевым током базы. При попадании света на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются основные носители, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению (усилению) тока через Ф. по сравнению с током, обусловленным переносом только тех носителей, которые образовались непосредственно под действием света.

Основными параметрами и характеристиками Ф., как и др.. фотоэлектрических приборов (например, фотоэлемента, фотодиода), являются: 1) интегральная чувствительность (отношение фототока к падающему световому потоку), в лучших образцов Ф. (например, изготовленных по диффузионной планарной технологии) она достигает 10 а / лм; 2) спектральная характеристика (зависимость чувствительности к монохроматического излучения от длины волны этого излучения), что позволяет, в частности, установить длинноволновая граница применимости Ф.; эта граница (зависимая прежде всего от ширины запрещенной зоны полупроводникового материала) для германиевого Ф. составляет 1,7 мкм, для кремниевого - 1,1 мкм, 3) постоянная времени (характеризующая инерционность Ф.) не превышает нескольких сотен мксек. Кроме того, Ф. характеризуется коэффициентом усиления первичного фототока, достигающим 10 февраля -10 3.

Высокие надежность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф., а также его малые габариты и относительная простота конструкции позволяют широко использовать Ф. в системах контроля и автоматики - как датчики освещенности, элементов гальванической развязки и т.д. (См. Приемники излучения, Приемники света, Оптрон). С 70-х гг 20 в, разрабатываются полевые Ф. (аналоги полевых транзисторов).


Литература

Амброзяк А., Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов, пер. (Перевод) с польск. (Польский), М., 1970.

Пассивные твердотельные
Активные твердотельные
Диод ? Светодиод ? Фотодиод ? Полупроводниковый лазер ? Диод Шоттки ? Стабилитрон ? Стабисторы ? Варикапов ? Вариконд ? Диодный мост ? Лавинно-пролетный диод ? Туннельный диод ? Диод Ганна
Транзистор ? Биполярный транзистор ? Полевой транзистор ? КМОП-транзистор ? Однопереходной транзистор ? Фототранзистор ? Составленный транзистор
Интегральная схема ? Цифровая интегральная схема ? Аналоговая интегральная схема
Тиристор ? Симистор ? Динисторы ? Мемристор
Пассивные вакуумные
Активные вакуумные и газоразрядные
Устройства отображения
Акустические приборы и датчики
Термоэлектрические устройства